Novo circuito integrado IPD135N08N3G
Atributos do produto
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | Tecnologias Infineon |
| Series | OptiMOS™ |
| Pacote | Fita e Carretel (TR) |
| Status do produto | Obsoleto |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 80 V |
| Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 6V, 10V |
| Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 13,5mOhm a 45A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) @ ID | 3,5 V a 33 µA |
| Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730 pF a 40 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 79W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 |
| Pacote/Caso | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 |
| Número básico do produto | IPD135N |
Documentos e mídia
| TIPO DE RECURSO | LINK |
| Folhas de dados | IPD135N08N3G |
| Outros documentos relacionados | Guia do número da peça |
| Produto em destaque | Sistemas de Processamento de Dados |
| Folha de dados HTML | IPD135N08N3G |
Classificações Ambientais e de Exportação
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Estado do REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSU | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Outros nomes | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3G IPD135N08N3 G-ND |
| Pacote padrão | 2.500 |
Um transistor é um dispositivo semicondutor comumente usado em amplificadores ou interruptores controlados eletronicamente.Os transistores são os blocos básicos que regulam a operação de computadores, telefones celulares e todos os outros circuitos eletrônicos modernos.
Devido à sua rápida velocidade de resposta e alta precisão, os transistores podem ser usados para uma ampla variedade de funções digitais e analógicas, incluindo amplificação, comutação, regulador de tensão, modulação de sinal e oscilador.Os transistores podem ser embalados individualmente ou em uma área muito pequena que pode conter 100 milhões ou mais de transistores como parte de um circuito integrado.
Comparado com o tubo eletrônico, o transistor tem muitas vantagens:
Componente não tem consumo
Não importa quão bom seja o tubo, ele se deteriorará gradualmente devido a mudanças nos átomos do cátodo e ao vazamento crônico de ar.Por razões técnicas, os transistores tiveram o mesmo problema quando foram fabricados.Com avanços em materiais e melhorias em muitos aspectos, os transistores normalmente duram de 100 a 1.000 vezes mais que as válvulas eletrônicas.
Consome muito pouca energia
É apenas um décimo ou dezenas de um tubo de elétrons.Não é necessário aquecer o filamento para produzir elétrons livres como o tubo de elétrons.Um rádio transistor precisa apenas de algumas pilhas secas para ouvir seis meses por ano, o que é difícil de fazer com um rádio valvulado.
Não há necessidade de pré-aquecer
Trabalhe assim que ligá-lo.Por exemplo, um rádio transistorizado desliga assim que é ligado, e uma televisão transistorizada emite uma imagem assim que é ligada.Equipamentos de tubo de vácuo não podem fazer isso.Após a inicialização, espere um pouco para ouvir o som, veja a imagem.Claramente, nas forças armadas, medição, gravação, etc., os transistores são muito vantajosos.
Forte e confiável
100 vezes mais confiável que o tubo de elétrons, resistência ao choque, resistência à vibração, que é incomparável ao tubo de elétrons.Além disso, o tamanho do transistor é de apenas um décimo a um centésimo do tamanho do tubo de elétrons, muito pouca liberação de calor, pode ser usado para projetar circuitos pequenos, complexos e confiáveis.Embora o processo de fabricação do transistor seja preciso, o processo é simples, o que contribui para melhorar a densidade de instalação dos componentes.
