Chip Merrill Novo e Original em estoque componentes eletrônicos circuito integrado IC IRFB4110PBF
Atributos do produto
| TIPO | DESCRIÇÃO |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | Tecnologias Infineon |
| Series | HEXFET® |
| Pacote | Tubo |
| Status do produto | Ativo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 4,5mOhm a 75A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) @ ID | 4 V @ 250 µA |
| Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9620 pF a 50 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 370W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do orifício |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PARA-220AB |
| Pacote/Caso | PARA-220-3 |
| Número básico do produto | IRFB4110 |
Documentos e mídia
| TIPO DE RECURSO | LINK |
| Folhas de dados | IRFB4110PbF |
| Outros documentos relacionados | Sistema de numeração de peças IR |
| Módulos de treinamento de produto | Circuitos integrados de alta tensão (drivers de porta HVIC) |
| Produto em destaque | Robótica e veículos guiados automaticamente (AGV) |
| Folha de dados HTML | IRFB4110PbF |
| Modelos EDA | IRFB4110PBF por SnapEDA |
| Modelos de Simulação | Modelo de sabre IRFB4110PBF |
Classificações Ambientais e de Exportação
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Estado do REACH | REACH não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSU | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Outros nomes | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Pacote padrão | 50 |
A família de MOSFET de potência Strong IRFET™ é otimizada para baixo RDS(on) e alta capacidade de corrente.Os dispositivos são ideais para aplicações de baixa frequência que exigem desempenho e robustez.O portfólio abrangente aborda uma ampla gama de aplicações, incluindo motores CC, sistemas de gerenciamento de baterias, inversores e conversores CC-CC.
Resumo dos recursos
Pacote de energia passante padrão da indústria
Classificação de alta corrente
Qualificação do produto de acordo com o padrão JEDEC
Silício otimizado para aplicações com comutação abaixo de <100 kHz
Diodo corporal mais macio em comparação com a geração anterior de silício
Amplo portfólio disponível
Benefícios
A pinagem padrão permite a substituição por queda
Pacote de capacidade de transporte de alta corrente
Nível de qualificação padrão da indústria
Alto desempenho em aplicações de baixa frequência
Maior densidade de potência
Fornece flexibilidade aos projetistas na seleção do dispositivo ideal para sua aplicação
Paramétricas
| Paramétricos | IRFB4110 |
| Preço Orçamental €/1k | 1,99 |
| ID (@25°C) máx. | 180A |
| Montagem | THT |
| Temperatura operacional mín máx | -55 °C 175 °C |
| Ponto máximo | 370W |
| Pacote | PARA-220 |
| Polaridade | N |
| QG (tipo @10V) | 150nC |
| Qgd | 43nC |
| RDS (ligado) (@10V) máx. | 4,5 mΩ |
| RthJC máx. | 0,4 K/W |
| Tj máx. | 175°C |
| VDS máx. | 100V |
| VGS(th) min máx | 3V 2V 4V |
| VGS máx. | 20 V |
Produtos semicondutores discretos
Produtos semicondutores discretos incluem transistores, diodos e tiristores individuais, bem como pequenos conjuntos compostos por dois, três, quatro ou algum outro pequeno número de dispositivos semelhantes em um único pacote.Eles são mais comumente usados para construir circuitos com tensões consideráveis de tensão ou corrente, ou para realizar funções de circuito muito básicas.
