Novo circuito integrado original bsp772t ip5306 bsz040n06ls5 TLE7270-2D chip ic
BSZ040N06LS5
O nível lógico dos MOSFETs de potência OptiMOS™ 5 da Infineon é altamente adequado para carregamento sem fio, adaptadores e aplicações de telecomunicações.A baixa carga de porta dos dispositivos (Q g) reduz as perdas de comutação sem comprometer as perdas de condução.As figuras de mérito aprimoradas permitem operações em altas frequências de comutação.Além disso, o drive de nível lógico fornece limites de porta baixostensão de retenção (V GS(th)) permitindo que os MOSFETs sejam acionados a 5V e diretamente de microcontroladores.
Resumo dos recursos
Low R DS(on) em pacote pequeno
Taxa de portão baixa
Menor carga de saída
Compatibilidade de nível lógico
Benefícios
Projetos de maior densidade de potência
Maior frequência de comutação
Contagem de peças reduzida sempre que fontes de 5V estiverem disponíveis
Acionado diretamente por microcontroladores (comutação lenta)
Redução de custos do sistema
Paramétricos
| Paramétricos | BSZ040N06LS5 |
| Preço Orçamental €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2.400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) máx. | 101A |
| IDpuls máx. | 404A |
| Montagem | SMD |
| Temperatura operacional mín máx | -55 °C 150 °C |
| Ponto máximo | 69W |
| Pacote | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Contagem de alfinetes | 8 pinos |
| Polaridade | N |
| QG (tipo @4,5V) | 18nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (ligado) (@4,5V LL) máx. | 5,6 mΩ |
| RDS (ligado) (@4,5V) máx. | 5,6 mΩ |
| RDS (ligado) (@10V) máx. | 4 mΩ |
| Rth máximo | 1,8 K/W |
| RthJA máx. | 62 K/W |
| RthJC máx. | 1,8 K/W |
| VDS máx. | 60 V |
| VGS(th) min máx | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
