AQX IRF7416TRPBF Novo e original chip ic de circuito integrado IRF7416TRPBF
Atributos do produto
TIPO | DESCRIÇÃO |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Fabricante | Tecnologias Infineon |
Series | HEXFET® |
Pacote | Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reel® |
Status do produto | Ativo |
Tipo FET | Canal P |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 30 V |
Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4,5V, 10V |
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 20mOhm a 5,6A, 10V |
Vgs(th) (máx.) @ ID | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1700 pF a 25 V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2,5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem em superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO |
Pacote/Caso | 8-SOIC (0,154 ″, 3,90 mm de largura) |
Número básico do produto | IRF7416 |
Documentos e mídia
TIPO DE RECURSO | LINK |
Folhas de dados | IRF7416PbF |
Outros documentos relacionados | Sistema de numeração de peças IR |
Módulos de treinamento de produto | Circuitos integrados de alta tensão (drivers de porta HVIC) |
Produto em destaque | Sistemas de Processamento de Dados |
Folha de dados HTML | IRF7416PbF |
Modelos EDA | IRF7416TRPBF por Ultra Bibliotecário |
Modelos de Simulação | Modelo de sabre IRF7416PBF |
Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
Estado do REACH | REACH não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSU | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Outros nomes | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
Pacote padrão | 4.000 |
IRF7416
Benefícios
Estrutura celular planar para SOA amplo
Otimizado para a mais ampla disponibilidade de parceiros de distribuição
Qualificação do produto de acordo com o padrão JEDEC
Silício otimizado para aplicações com comutação abaixo de <100KHz
Pacote de energia para montagem em superfície padrão da indústria
Capaz de ser soldado por onda
MOSFET de potência HEXFET de canal P único de -30V em um pacote SO-8
Benefícios
Compatível com RoHS
RDS baixo (ligado)
Qualidade líder do setor
Classificação dinâmica dv/dt
Troca rápida
Totalmente classificado como Avalanche
Temperatura operacional de 175°C
MOSFET de canal P
Transistor
Um transistor é umdispositivo semicondutorcostumava seramplificaroutrocarsinais elétricos epoder.O transistor é um dos blocos básicos de construção da modernaeletrônicos.[1]É composto pormaterial semicondutor, geralmente com pelo menos trêsterminaispara conexão a um circuito eletrônico.Atensãoouatualaplicado a um par de terminais do transistor controla a corrente através de outro par de terminais.Como a potência controlada (saída) pode ser maior que a potência de controle (entrada), um transistor pode amplificar um sinal.Alguns transistores são embalados individualmente, mas muitos mais são encontrados incorporados emcircuitos integrados.
Austro-Húngaro físico Júlio Edgar Lilienfeldpropôs o conceito de umtransistor de efeito de campoem 1926, mas não foi possível construir realmente um dispositivo funcional naquela época.[2]O primeiro dispositivo funcional a ser construído foi umtransistor de contato pontualinventado em 1947 por físicos americanosJohn BardeeneWalter Brattainenquanto trabalhava sobWilliam ShockleynoLaboratórios Bell.Os três compartilharam o 1956Prêmio Nobel de Físicapela sua realização.[3]O tipo de transistor mais utilizado é otransistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kangnos Laboratórios Bell em 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaram o campo da eletrônica e abriram caminho para produtos menores e mais baratos.rádios,calculadoras, ecomputadores, entre outras coisas.
A maioria dos transistores é feita de materiais muito purossilício, e alguns degermânio, mas às vezes alguns outros materiais semicondutores são usados.Um transistor pode ter apenas um tipo de portador de carga, em um transistor de efeito de campo, ou pode ter dois tipos de portadores de carga emtransistor de junção bipolardispositivos.Comparado com otubo de vácuo, os transistores são geralmente menores e requerem menos energia para operar.Certos tubos de vácuo têm vantagens sobre os transistores em frequências operacionais muito altas ou em altas tensões operacionais.Muitos tipos de transistores são fabricados com especificações padronizadas por vários fabricantes.