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AQX IRF7416TRPBF Novo e original chip ic de circuito integrado IRF7416TRPBF

Pequena descrição:


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Atributos do produto

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Produtos semicondutores discretos

Transistores – FETs, MOSFETs – Únicos

Fabricante Tecnologias Infineon
Series HEXFET®
Pacote Fita e Carretel (TR)

Fita Cortada (CT)

Digi-Reel®

Status do produto Ativo
Tipo FET Canal P
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) 30 V
Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4,5V, 10V
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs 20mOhm a 5,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1700 pF a 25 V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2,5W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SO
Pacote/Caso 8-SOIC (0,154 ″, 3,90 mm de largura)
Número básico do produto IRF7416

Documentos e mídia

TIPO DE RECURSO LINK
Folhas de dados IRF7416PbF
Outros documentos relacionados Sistema de numeração de peças IR
Módulos de treinamento de produto Circuitos integrados de alta tensão (drivers de porta HVIC)

MOSFETs de potência discretos de 40 V e inferiores

Produto em destaque Sistemas de Processamento de Dados
Folha de dados HTML IRF7416PbF
Modelos EDA IRF7416TRPBF por Ultra Bibliotecário
Modelos de Simulação Modelo de sabre IRF7416PBF

Classificações Ambientais e de Exportação

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Estado do REACH REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSU 8541.29.0095

Recursos adicionais

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Outros nomes IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Pacote padrão 4.000

IRF7416

Benefícios
Estrutura celular planar para SOA amplo
Otimizado para a mais ampla disponibilidade de parceiros de distribuição
Qualificação do produto de acordo com o padrão JEDEC
Silício otimizado para aplicações com comutação abaixo de <100KHz
Pacote de energia para montagem em superfície padrão da indústria
Capaz de ser soldado por onda
MOSFET de potência HEXFET de canal P único de -30V em um pacote SO-8
Benefícios
Compatível com RoHS
RDS baixo (ligado)
Qualidade líder do setor
Classificação dinâmica dv/dt
Troca rápida
Totalmente classificado como Avalanche
Temperatura operacional de 175°C
MOSFET de canal P

Transistor

Um transistor é umdispositivo semicondutorcostumava seramplificaroutrocarsinais elétricos epoder.O transistor é um dos blocos básicos de construção da modernaeletrônicos.[1]É composto pormaterial semicondutor, geralmente com pelo menos trêsterminaispara conexão a um circuito eletrônico.Atensãoouatualaplicado a um par de terminais do transistor controla a corrente através de outro par de terminais.Como a potência controlada (saída) pode ser maior que a potência de controle (entrada), um transistor pode amplificar um sinal.Alguns transistores são embalados individualmente, mas muitos mais são encontrados incorporados emcircuitos integrados.

Austro-Húngaro físico Júlio Edgar Lilienfeldpropôs o conceito de umtransistor de efeito de campoem 1926, mas não foi possível construir realmente um dispositivo funcional naquela época.[2]O primeiro dispositivo funcional a ser construído foi umtransistor de contato pontualinventado em 1947 por físicos americanosJohn BardeeneWalter Brattainenquanto trabalhava sobWilliam ShockleynoLaboratórios Bell.Os três compartilharam o 1956Prêmio Nobel de Físicapela sua realização.[3]O tipo de transistor mais utilizado é otransistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kangnos Laboratórios Bell em 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaram o campo da eletrônica e abriram caminho para produtos menores e mais baratos.rádios,calculadoras, ecomputadores, entre outras coisas.

A maioria dos transistores é feita de materiais muito purossilício, e alguns degermânio, mas às vezes alguns outros materiais semicondutores são usados.Um transistor pode ter apenas um tipo de portador de carga, em um transistor de efeito de campo, ou pode ter dois tipos de portadores de carga emtransistor de junção bipolardispositivos.Comparado com otubo de vácuo, os transistores são geralmente menores e requerem menos energia para operar.Certos tubos de vácuo têm vantagens sobre os transistores em frequências operacionais muito altas ou em altas tensões operacionais.Muitos tipos de transistores são fabricados com especificações padronizadas por vários fabricantes.


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