AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip Novo Circuito Integrado Original
Atributos do produto
TIPO | DESCRIÇÃO |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Fabricante | Tecnologias Infineon |
Series | OptiMOS™ |
Pacote | Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reel® |
Status do produto | Ativo |
Tipo FET | Canal N |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 25 V |
Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4,5V, 10V |
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 6mOhm a 20A, 10V |
Vgs(th) (máx.) @ ID | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | 9,1 nC a 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 670 pF a 12 V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2,1 W (Ta), 26 W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem em superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TSDSON-8-FL |
Pacote/Caso | 8-PowerTDFN |
Número básico do produto | BSZ060 |
Documentos e mídia
TIPO DE RECURSO | LINK |
Folhas de dados | BSZ060NE2LS |
Outros documentos relacionados | Guia do número da peça |
Produto em destaque | Sistemas de Processamento de Dados |
Modelos EDA | BSZ060NE2LSATMA1 por Ultra Bibliotecário |
Modelos de Simulação | Modelo Spice MOSFET OptiMOS™ 25V Canal N |
Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
Estado do REACH | REACH não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSU | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Outros nomes | BSZ060NE2LS BSZ060NE2LS-ND BSZ060NE2LSATMA1CT BSZ060NE2LSDKR-ND SP000776122 BSZ060NE2LSCT-ND BSZ060NE2LSTR-ND BSZ060NE2LSATMA1DKR BSZ060NE2LSDKR BSZ060NE2LSATMA1TR BSZ060NE2LSCT |
Pacote padrão | 5.000 |
Um transistor é um dispositivo semicondutor comumente usado em amplificadores ou interruptores controlados eletronicamente.Os transistores são os blocos básicos que regulam a operação de computadores, telefones celulares e todos os outros circuitos eletrônicos modernos.
Devido à sua rápida velocidade de resposta e alta precisão, os transistores podem ser usados para uma ampla variedade de funções digitais e analógicas, incluindo amplificação, comutação, regulador de tensão, modulação de sinal e oscilador.Os transistores podem ser embalados individualmente ou em uma área muito pequena que pode conter 100 milhões ou mais de transistores como parte de um circuito integrado.
Comparado com o tubo eletrônico, o transistor tem muitas vantagens:
Componente não tem consumo
Não importa quão bom seja o tubo, ele se deteriorará gradualmente devido a mudanças nos átomos do cátodo e ao vazamento crônico de ar.Por razões técnicas, os transistores tiveram o mesmo problema quando foram fabricados.Com avanços em materiais e melhorias em muitos aspectos, os transistores normalmente duram de 100 a 1.000 vezes mais que as válvulas eletrônicas.
Consome muito pouca energia
É apenas um décimo ou dezenas de um tubo de elétrons.Não é necessário aquecer o filamento para produzir elétrons livres como o tubo de elétrons.Um rádio transistor precisa apenas de algumas pilhas secas para ouvir seis meses por ano, o que é difícil de fazer com um rádio valvulado.
Não há necessidade de pré-aquecer
Trabalhe assim que ligá-lo.Por exemplo, um rádio transistorizado desliga assim que é ligado, e uma televisão transistorizada emite uma imagem assim que é ligada.Equipamentos de tubo de vácuo não podem fazer isso.Após a inicialização, espere um pouco para ouvir o som, veja a imagem.Claramente, nas forças armadas, medição, gravação, etc., os transistores são muito vantajosos.
Forte e confiável
100 vezes mais confiável que o tubo de elétrons, resistência ao choque, resistência à vibração, que é incomparável ao tubo de elétrons.Além disso, o tamanho do transistor é de apenas um décimo a um centésimo do tamanho do tubo de elétrons, muito pouca liberação de calor, pode ser usado para projetar circuitos pequenos, complexos e confiáveis.Embora o processo de fabricação do transistor seja preciso, o processo é simples, o que contribui para melhorar a densidade de instalação dos componentes.