IPD068P03L3G novo original de componentes eletrônicos IC chip MCU BOM serviço em estoque IPD068P03L3G
Atributos do produto
TIPO | DESCRIÇÃO |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Fabricante | Tecnologias Infineon |
Series | OptiMOS™ |
Pacote | Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reel® |
Status do produto | Ativo |
Tipo FET | Canal P |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 30 V |
Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4,5V, 10V |
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 6,8mOhm a 70A, 10V |
Vgs(th) (máx.) @ ID | 2V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7720 pF a 15 V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem em superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote/Caso | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 |
Número básico do produto | IPD068 |
Documentos e mídia
TIPO DE RECURSO | LINK |
Folhas de dados | IPD068P03L3G |
Outros documentos relacionados | Guia do número da peça |
Produto em destaque | Sistemas de Processamento de Dados |
Folha de dados HTML | IPD068P03L3G |
Modelos EDA | IPD068P03L3GATMA1 por Ultra Bibliotecário |
Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
Estado do REACH | REACH não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSU | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Outros nomes | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Pacote padrão | 2.500 |
Transistor
Um transistor é umdispositivo semicondutorcostumava seramplificaroutrocarsinais elétricos epoder.O transistor é um dos blocos básicos de construção da modernaeletrônicos.[1]É composto pormaterial semicondutor, geralmente com pelo menos trêsterminaispara conexão a um circuito eletrônico.Atensãoouatualaplicado a um par de terminais do transistor controla a corrente através de outro par de terminais.Como a potência controlada (saída) pode ser maior que a potência de controle (entrada), um transistor pode amplificar um sinal.Alguns transistores são embalados individualmente, mas muitos mais são encontrados incorporados emcircuitos integrados.
Austro-Húngaro físico Júlio Edgar Lilienfeldpropôs o conceito de umtransistor de efeito de campoem 1926, mas não foi possível construir realmente um dispositivo funcional naquela época.[2]O primeiro dispositivo funcional a ser construído foi umtransistor de contato pontualinventado em 1947 por físicos americanosJohn BardeeneWalter Brattainenquanto trabalhava sobWilliam ShockleynoLaboratórios Bell.Os três compartilharam o 1956Prêmio Nobel de Físicapela sua realização.[3]O tipo de transistor mais utilizado é otransistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kangnos Laboratórios Bell em 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaram o campo da eletrônica e abriram caminho para produtos menores e mais baratos.rádios,calculadoras, ecomputadores, entre outras coisas.
A maioria dos transistores é feita de materiais muito purossilício, e alguns degermânio, mas às vezes alguns outros materiais semicondutores são usados.Um transistor pode ter apenas um tipo de portador de carga, em um transistor de efeito de campo, ou pode ter dois tipos de portadores de carga emtransistor de junção bipolardispositivos.Comparado com otubo de vácuo, os transistores são geralmente menores e requerem menos energia para operar.Certos tubos de vácuo têm vantagens sobre os transistores em frequências operacionais muito altas ou em altas tensões operacionais.Muitos tipos de transistores são fabricados com especificações padronizadas por vários fabricantes.