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IPD068P03L3G novo original de componentes eletrônicos IC chip MCU BOM serviço em estoque IPD068P03L3G

Pequena descrição:


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Atributos do produto

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Produtos semicondutores discretos

Transistores – FETs, MOSFETs – Únicos

Fabricante Tecnologias Infineon
Series OptiMOS™
Pacote Fita e Carretel (TR)

Fita Cortada (CT)

Digi-Reel®

Status do produto Ativo
Tipo FET Canal P
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) 30 V
Corrente – Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4,5V, 10V
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs 6,8mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID 2V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7720 pF a 15 V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 100W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO252-3
Pacote/Caso TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
Número básico do produto IPD068

Documentos e mídia

TIPO DE RECURSO LINK
Folhas de dados IPD068P03L3G
Outros documentos relacionados Guia do número da peça
Produto em destaque Sistemas de Processamento de Dados
Folha de dados HTML IPD068P03L3G
Modelos EDA IPD068P03L3GATMA1 por Ultra Bibliotecário

Classificações Ambientais e de Exportação

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Estado do REACH REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSU 8541.29.0095

Recursos adicionais

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Outros nomes IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Pacote padrão 2.500

Transistor

Um transistor é umdispositivo semicondutorcostumava seramplificaroutrocarsinais elétricos epoder.O transistor é um dos blocos básicos de construção da modernaeletrônicos.[1]É composto pormaterial semicondutor, geralmente com pelo menos trêsterminaispara conexão a um circuito eletrônico.Atensãoouatualaplicado a um par de terminais do transistor controla a corrente através de outro par de terminais.Como a potência controlada (saída) pode ser maior que a potência de controle (entrada), um transistor pode amplificar um sinal.Alguns transistores são embalados individualmente, mas muitos mais são encontrados incorporados emcircuitos integrados.

Austro-Húngaro físico Júlio Edgar Lilienfeldpropôs o conceito de umtransistor de efeito de campoem 1926, mas não foi possível construir realmente um dispositivo funcional naquela época.[2]O primeiro dispositivo funcional a ser construído foi umtransistor de contato pontualinventado em 1947 por físicos americanosJohn BardeeneWalter Brattainenquanto trabalhava sobWilliam ShockleynoLaboratórios Bell.Os três compartilharam o 1956Prêmio Nobel de Físicapela sua realização.[3]O tipo de transistor mais utilizado é otransistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kangnos Laboratórios Bell em 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaram o campo da eletrônica e abriram caminho para produtos menores e mais baratos.rádios,calculadoras, ecomputadores, entre outras coisas.

A maioria dos transistores é feita de materiais muito purossilício, e alguns degermânio, mas às vezes alguns outros materiais semicondutores são usados.Um transistor pode ter apenas um tipo de portador de carga, em um transistor de efeito de campo, ou pode ter dois tipos de portadores de carga emtransistor de junção bipolardispositivos.Comparado com otubo de vácuo, os transistores são geralmente menores e requerem menos energia para operar.Certos tubos de vácuo têm vantagens sobre os transistores em frequências operacionais muito altas ou em altas tensões operacionais.Muitos tipos de transistores são fabricados com especificações padronizadas por vários fabricantes.


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