XCKU060-2FFVA1156I 100% novo e original conversor DC para DC e chip regulador de comutação
Atributos do produto
| TIPO | ILUSTRAR |
| categoria | Matrizes de portas programáveis em campo (FPGAs) |
| fabricante | AMD |
| Series | Kintex® UltraScale™ |
| enrolar | volume |
| Status do produto | Ativo |
| DigiKey é programável | Não verificado |
| Número LAB/CLB | 41460 |
| Número de elementos/unidades lógicas | 725550 |
| Número total de bits de RAM | 38912000 |
| Número de E/S | 520 |
| Tensão - Fonte de alimentação | 0,922 V ~ 0,979 V |
| Tipo de instalação | Tipo de adesivo de superfície |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Pacote/Alojamento | 1156-BBGA、FCBGA |
| Encapsulamento de componentes do fornecedor | 1156-FCBGA (35x35) |
| Número mestre do produto | XCKU060 |
Tipo de Circuito Integrado
Comparados aos elétrons, os fótons não têm massa estática, interação fraca, forte capacidade anti-interferência e são mais adequados para transmissão de informações.Espera-se que a interconexão óptica se torne a tecnologia central para romper a parede de consumo de energia, parede de armazenamento e parede de comunicação.Dispositivos iluminantes, acopladores, moduladores e guias de onda são integrados aos recursos ópticos de alta densidade, como microssistema fotoelétrico integrado, podem obter qualidade, volume, consumo de energia de integração fotoelétrica de alta densidade, plataforma de integração fotoelétrica incluindo semicondutor composto monolítico III - V integrado (INP ) plataforma de integração passiva, plataforma de silicato ou vidro (guia de onda óptico planar, PLC) e plataforma baseada em silício.
A plataforma InP é utilizada principalmente para a produção de laser, modulador, detector e outros dispositivos ativos, baixo nível de tecnologia, alto custo de substrato;Utilizando plataforma PLC para produzir componentes passivos, baixa perda, grande volume;O maior problema com ambas as plataformas é que os materiais não são compatíveis com a eletrônica baseada em silício.A vantagem mais proeminente da integração fotônica baseada em silício é que o processo é compatível com o processo CMOS e o custo de produção é baixo, por isso é considerado o esquema de integração optoeletrônico e até mesmo totalmente óptico com maior potencial.
Existem dois métodos de integração para dispositivos fotônicos baseados em silício e circuitos CMOS.
A vantagem do primeiro é que os dispositivos fotônicos e os dispositivos eletrônicos podem ser otimizados separadamente, mas o empacotamento subsequente é difícil e as aplicações comerciais são limitadas.Este último é difícil de projetar e processar a integração dos dois dispositivos.Atualmente, a montagem híbrida baseada na integração de partículas nucleares é a melhor escolha
